英特尔在2008 VLSI电路技术会议上发布重要技术论文

  • 时间:
  • 浏览:0
  • 来源:5分PK10-5分PK10平台_5分PK10网投平台





作者: Roc 驱动之家

CNETNews.com.cn

10008-06-18 18:59:20

关键词: VLSI 电路技术 余量和

10008年6月17日,美国檀香山——英特尔公司将于6月17日至20日在夏威夷檀香山举行的10008 年VLSI 电路技术会议上展示5篇重要技术论文。摘要如下:

6月18日展示论文:

论文9.4:在硅薄膜和BOX(隐埋氧化物)薄膜上采用高k栅介质 + 金属栅极工艺制造的可扩展浮体单元存储器,适用于15纳米及更精细制程下的节点

本论文展示了英特尔成功制造的迄今为止最小的浮体单元(FBC)平面存储器设备,其有效设备的栅极长度降至1000纳米。与当前用于微补救器的标准六晶体管(6T)缓存相比,FBC是提高存储密度的理想选择之一。FBC设备让研究人员还我不要 在同样的芯片面积内压缩更多的位元,从而提高计算速度。英特尔FBC设备在尺寸上比业界已宣告的相似FBC设备领先两代。采用1000纳米栅极的英特尔FBC设备展现了大约的存储保持能力,其单元尺寸还我不要 低于0.01um2,有随后 非常适合在15纳米制程节点下使用。原因实际器件与仿真之间有着良好的一致性,预期它未来还还我不要 应用10纳米制程技术。

论文13.2:45纳米高k栅介质 + 金属栅极应变强化型晶体管

本论文描述了怎样才能采用“后栅极”制造流程制造英特尔革命性的45纳米高k栅介质 + 金属栅极晶体管。“后栅极”制造流程融合了独特的NMOS和PMOS晶体管应变强化技术,以实现行业领先的性能和低功率。本论文还描述了在不我不要 增加掩模层的状况下怎样才能将高成本效益的193纳米干式光刻技术扩展至高密度45纳米设计。10007年11月以来,这项技术原因应用于多款英特尔微补救器产品的大规模量产,并具有很高成品率。

论文5.4:通过无扩散凹槽(DNF)6T SRAM单元与动态多Vcc电路实现的抗PVT-波动与供电噪声的45纳米高密度缓存阵列

本论文展示了新的自适应电路技术,通过增强单元对制程、电压和温度变化的耐受度来降低SRAM缓存单元的最低工作电压(或Vccmin)。在特定工作条件下对45纳米测试芯片进行测试的结果表明单个单元错误量降低了26倍。哪几种电路让英特尔我不要 达到更高的性能和能效,且我不要 在未来制程上老出错误。

6月19日展示论文:

论文7.1:下一代英特尔微架构(Nehalem)的时钟架构

本论文描述了下一代英特尔微架构Nehalem补救器的核心和I/O时钟架构。Nehalem是采用45纳米高k+金属栅极制程技术制造的新一代英特尔多核补救器产品之一。第一款Nehalem微补救器产品富含俩个强化内核、有俩个多用于连接内核和I/O的非核心组件以及三级缓存。Nehalem支持新型的高速、点对点、连贯的英特尔QuickPath互连技术,用于CPU、芯片组和I/O芯片之间的通信。它还支持集成的内存控制器支持高速多通道DDR3内存。

Nehalem特点:可配置的时钟、快速锁定低时滞PLL(锁相环)、高参考时钟频率、模拟信号跟踪系统、自适应频率时钟、低抖动英特尔QuickPath互连与集成内存控制器时钟振荡,以及抖动衰减DLL。

6月20日展示论文:

论文17.2:片上串行I/O的抖动容限测量技术

本论文展示了片上集成的通用芯片间I/O性能测量系统,一般某些测量还我不要 我不要 在实验室内进行。另外,该技术还我不要 让未来的补救器直接在最终消费者或企业环境中检查与时钟噪声(尖峰)相关的条件。这项功能将让I/O链路我不要 优化时间余量和/或数据传输速度,从而带来更高的整体性能。

英特尔高级院士、院士和工程师还将在6月17日参加三场VLSI专题研讨会,包括:

• 十年完后 ——SOI是与否原因最终到来?

英特尔参会人员:马博(Mark Bohr)

其它参会代表:英飞凌、IBM、SOITEC、AIST、TSMC、东芝、日立

• 2012年,谁将继续推动SRAM扩展:设计人员还是技术人员?

主持人:英特尔和NEC公司代表

英特尔参会人员:Claire Webb

其它参会代表:IBM、德州仪器、TSMC、东芝、NEC

• 光子与电子——谁将胜出?几时胜出?(短距离高速数据连接竞赛进行中)

英特尔参会人员:lan Young

其它参会代表:斯坦福大学、Force10 Networks、Teranetics、富士通日本、NTT日本

有关此次会议的其它信息及完整性日程请参考http://www.vlsisymposium.org/index.html。